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ダイアモンドからプラスチックまでの広範囲の自立した薄板材料の面内方向熱拡散率を正確に測定します。適用可能な薄板材料の厚さは３〜５００μｍです。また新開発の示差法（特許出願中）により、基板上に成膜された厚さ１００nm〜１０μmの薄膜の熱伝導率が測定できます。
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▲スキャニング・レーザ加熱AC 法の原理 |
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ダイアモンドからポリマーまでの広範囲の薄板材料の熱拡散率を正確に測定します。
熱拡散率測定確度は±５％です。(自立した薄板試料の熱拡散率） |
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厚さ3〜500μm の自立したシート、フィルム、線材、繊維、など広範囲の形態の材料に適用できます。（室温モデル、および200℃モデルが対応）
また、新開発の示差法（特許出願中）により、基板上に成膜された厚さ100 nm〜10 μm の薄膜の熱伝導率が測定できます。（室温モデルのみ対応） |
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LaserPIT 試料系は簡単な操作で測定できます。
コンパクトなモジュール内に、全ての光学、機械、電子システムを内蔵。RS232C でパソコンに接続し、LaserPIT
for Windows Me/2000/Xp により制御、測定及び解析が可能です。
さらに低消費電力です。 |
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| 応用例 |
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| ●CVD Diamond、窒化アルミニウム、等の高熱伝導率薄板材料（厚さ＜0.5
mm）の熱拡散率/熱伝導率測定。 |
| ●銅、ニッケル、ステンレス、など各種金属薄板材料（厚さ＞5
μm）の熱拡散率/熱伝導率測定。 |
| ●ガラス、Plexiglas
等の低熱伝導率薄板材料（厚さ＜0.5 mm）の熱拡散率/熱伝導率測定。 |
| ●異方性を有する高熱伝導率グラファイト･シート（厚さ＜0.１
mm）、ポリイミド, ポリエチレン･テレフタレート（PET)など高分子フィルム（厚さ＞5μm）の熱拡散率/熱伝導率測定。 |
| ●ガラス基板（厚さ0.03
mm）上に成膜された、窒化アルミニウム薄膜、酸化アルミニウム薄膜､など（厚さ100〜300nm）の熱伝導率測定。 |
| ●ガラス基板（厚さ0.03
mm）上に成膜された、DLC 薄膜（厚さ＞1 μm）の熱伝導率測定。 |
| ●ガラス基板（厚さ0.03
mm）上に成膜された、ガラス薄膜（厚さ＞1 μm）の熱伝導率測定。 |
| ●PET 基板（厚さ0.１
mm）上に成膜された有機色素薄膜（厚さ100〜300 nm）の熱伝導率測定。 |
| ●スパッタリング用各種ターゲット材料の評価 |
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| ★薄膜の熱伝導率測定用ガラス基板 |
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ガラス基板（substrate）の半面に成膜する。非成膜領域と成膜領域の熱拡散率を測定し、基板と薄膜の厚さを別の手段で測定し、ガラス基板の体積比熱容量を基準にして、薄膜の熱伝導率を求めることができる |
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| 仕様 |
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| AC 熱源： |
Laser Diode（波長685 nm、出力50 mw） |
| 照射位置： |
±4000 μm、1 μm step |
| 周波数： |
0.01〜10 Hz |
| 熱拡散率測定確度： |
±5％（自立した薄板試料の熱拡散率） |
| 試料寸法： |
長さ30 mm、幅2.5〜5 mm、
：厚さ3〜500 μm (自立した薄板試料)： 100 nm〜10 μm (基板上の薄膜) |
| 熱電対： |
Ｅ型熱電対(直径0.1 mm) |
| 雰囲気： |
真空中(<0.01 Pa) |
| 真空引口： |
クイック・カップリング（NW25） |
| 温度： |
室温(LaserPIT-R)、室温〜200℃ (LaserPIT-M2) |
| インターフェース： |
RS232C（DSUB２５） |
| 所要電力： |
ＡＣ100〜240Ｖ、4Ａ |
| 設置面積： |
230 mm (W)、410 mm (D)、223 mm (H) |
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| 構成 |
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| (1) LaserPIT 試料系,及びソフトウェア(LaserPIT
for Windows Me/2000/Xp) |
| (2) TMP 真空排気装置(オプション) |
| (3) パーソナル・コンピュータ(CDROM
ドライブとCOM ポートが使用可能で、Windows Me/2000/Xp がインストールされて いること)
(オプション) |
| (4) 真空蒸着装置(オプション) |
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| 薄板・薄膜材料熱拡散率/熱伝導率計▲ |
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